春节假期逐渐临近，近期国内陆续传出内存价格“闪崩”等消息，在北美市场，存储巨头股价也出现高位回调。
近日，证券时报记者实探华强北市场发现，内存现货市场价格有些许回调但幅度有限，炒作心态有所收敛，但在闪存市场，部分品种出现“补涨”行情。
从供给侧来看，在数据中心需求虹吸效应下，国际存储原厂库存加速消耗，纷纷提高资本开支强度，并谋求更大的交易话语权；同时，国产存储供应链也在加速扩产，甚至给出了涨价终结预测，供需博弈将迈入新阶段。
炒作心态偏谨慎
临近春节，不少华强北柜台歇业。对于近期内存DDR4部分规格最高降价20%消息，多位商家向记者表示实际回调很有限，“DDR4从去年底到现在涨了五六倍，现在只是跌个十几块、几十块，像DDR4有的型号还是要1800元，比黄金都贵。”
还有商家表示，有的DDR规格都拿不到货，只能先给个报价，“如果电脑还能用，内存还是别换了。”
“最近电脑内存（PC DDR）热度下去了，基本维持着去年12月份的价格。”存储代理商向记者表示，内存价格回调主要是跟过年有关系，厂商回笼资金，但是有海外客户订单支持，所以不会回调太多。相比，NAND（闪存）原厂甚至提出的涨幅价格翻倍，eMMC（嵌入式多媒体卡）也大幅涨价。由于手机厂商砍单，自己好多客户亏钱做生意，仅为维持运营。
有商家分析，除了节前资金回笼因素外，也有一些避险心态，“今年春节有9天假，谁知道这期间会不会发生什么变化呢？毕竟存储已经涨价这么久了。”
作为DDR需求大户，电脑已经走上涨价通道上，有厂商表示已涨价5%，有的商家预计涨价10—20%，主要以中低端价格笔记本电脑为主，高端品类价格基本维持稳定。
有头部品牌电脑商向记者表示，现在除了存储涨价外，显卡、屏幕也都在涨价，公司明确节后要提价的，最高涨幅到33%，游戏本最高要涨价千元。
在日前联想集团业绩交流会上，联想集团董事长兼CEO杨元庆表示，消费电子产业存储挑战仍在继续。初步测算，上个季度存储等成本环比增长40%以上，2026年第一季度，此类成本增长甚至可能翻倍。应对存储压力，公司也会“随行就市”，做好供应保障。
库存方面，有行业分析师预估，经过数月大幅提价之后，低价库存被持续消耗，存储成品价格越发易涨难跌。目前上游NAND资源价格仍未有止扬信号，存储厂商多以成本管控为主，谨慎接单，但是当存储产品价格突破某一临界点，恐将引发更多客户的抵触。
原厂寻求更大话语权
据CFM闪存市场统计，2025年DRAM/NAND Flash市场规模历史上首次突破2000亿美元，同比增长32.7%至2215.91亿美元。
对于本轮存储涨价持续性，国产存储厂商佰维存储方面向记者表示，本轮存储周期与AI强相关，业界普遍预期将持续较长时间，但供需边际变化可能带来阶段性波动。公司整体长期看好AI对存储需求的持续驱动。
随着数据中心逐渐替代消费电子成为存储核心客户，国际存储大厂正在寻求更大的交易话语权。
在最新业绩说明会上，闪迪首席执行官戴维・V・戈克勒称，要颠覆传统“季度议价” 的交易模式。另有报道显示，三星、SK海力士和美光等存储巨头正计划引入“后结算”条款，允许供应商在供货结束后根据市场价格调整收款。这标志着存储行业可能从传统的固定价格转向动态定价机制。
当前存储市场的供给状况，依旧支撑涨价周期。据统计，由于库存水位持续走低，三星、SK海力士、闪迪等原厂对（bit）位元出货量预期普遍下调。三星电子高管展望2026年一季度指出，预计市场将延续强劲势头，但考虑到库存水平显著偏低，DRAM bit出货量增长将仅限于低个位数百分比区间，NAND bit出货量将以中等个位数百分比增长。
有头部电子元器件分销厂商向记者分析，电子元器件等产品通常以3—5年为一个周期，过往涨价的持续时间通常不会超过3个季度；而决定存储价格起伏的核心因素还在于原厂扩产节奏。
结合国际存储原厂最新财报，提高资本开支强度成为普遍选择，美光科技除了自建厂商外收购成熟晶圆厂、提高成熟制程DRAM供应。但是“远水难解近渴”，而且原厂即便显著提高资本开支，也是高度绑定利润更丰厚的数据中心需求。
集邦咨询分析师许家源预计，供应商在原有扩产规划之外的扩产，最早预期到2027年下半年才有望落地，难以缓解当前行业供不应求的局面。在2026年内存价格水平持续上修背景下，预计供应商将更积极扩产。
不过，晶圆制造厂商给出了更快的扩产落地预期，存储供应紧张局面或将分市场、分段缓解。
谈及当前存储市场供给短缺，中芯国际高管在2月11日接受机构调研时预计，“可能9个月到一年的时间，三季度可能会有一些反转。”据分析，数据中心客户的需求锚定未来十年的量，短时期间难以满足，预计缺货会在未来几年内持续；而新建晶圆厂建设速度是比较快的，可以很快做存储器的晶圆，应用到中低端手机、电脑等存储器需求，而且产能上量后会倒逼中间商释放存货。
国产存储加速扩产
在本轮存储超级周期下，国产原厂正在乘势加速扩产。宏碁董事长陈俊圣此前向媒体表示，存储器价格大涨缓解点需观察中国大陆DDR5产能何时开出，一旦实现量产，市场很快就会出现反转。
国产DRAM存储大厂长鑫科技增资去年12月底获科创板预先审阅，拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，预计2026年出货量将持续增长。据Omida统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%，成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
另据《长江日报》今年1月报道，国产NAND存储大厂长江存储三期项目计划今年投产，当前三期项目正在安装巨型洁净厂房设备。资料显示，长江存储新建的“国家存储器基地项目”总投资240亿美元，规划产能为360万片/年，分三期建设。
爱建证券分析，按照常规NAND项目建厂及产线爬坡2–3年周期，长江存储三期项目原本需至2027年可实现稳定量产。当前项目已进入洁净厂房设备安装阶段，且设备导入调试并行推进，有望压缩整体建设与爬坡周期，三期量产节点有望提前至2026下半年。据报道，Counterpoint统计数据显示，长江存储NAND的全球出货量占比在2025年第一季度首次突破10%，去年第三季度将提升至13%。
随着国产存储产能加速扩产，半导体设备厂商已经逐步兑现业绩。中微公司介绍，由于先进逻辑器件和存储器件制造中关键刻蚀工艺的高端产品新增付运量显著提升，2025年公司预计归母净利润20.8亿元至21.8亿元，同比增长约28.74%至34.93%；测试设备厂商长川科技也预计去年实现盈利翻倍增长。
国际消费电子客户已经向国产存储原厂投来“橄榄枝”。据悉，惠普、戴尔、宏碁、华硕四大主流PC厂商，正首次将中国大陆内存芯片纳入采购考量范围。
ODM厂商酷赛智能负责人此前向记者表示，国产存储芯片技术与产能正在提升，已经能够满足部分场景需求，主要在国内服务器、手机品牌等多个场景实现规模化应用；ODM厂商正以保障供应为核心，积极探索与国产存储芯片的合作。
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